台积电：将于2024年引入阿斯麦下一代极紫外光刻机
我要评论新浪科技讯 北京时间6月17日早间消息，台积高管周四表示，电将代极台积电将于2024年获得荷兰阿斯麦（ASML）下一代更先进的于年引入芯片制造工具。
新的麦下高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机用于在手机、笔记本电脑、紫外汽车和智能音箱等设备中的光刻计算机芯片上制造更先进的微型集成电路。EUV是台积“极紫外线”的缩写，这是电将代极阿斯麦光刻机使用的光的波长。
台积电研发高级副总裁米玉杰在硅谷举行的于年引入台积电技术研讨会上表示：“台积电将在2024年引入高数值孔径EUV光刻机，以开发相关的麦下基础设施和客户所需的曝光解决方案，继续推进创新。紫外”
高数值孔径EUV光刻机是光刻第二代EUV光刻工具，可以用于制造尺寸更小、台积速度更快的电将代极芯片。米玉杰没有透露，于年引入台积电计划何时将该设备用于芯片量产。此前台积电的竞争对手表示，将成为首家引入该设备的公司，并在2025年之前将其用于量产。
英特尔正在进军芯片代工业务，该公司将与台积电争夺芯片设计公司客户。
台积电负责业务发展的高级副总裁Kevin Zhang则表示，台积电到2024年还不会准备好使用新光刻机，新光刻机将主要用于与合作伙伴一起的研究。
参加此次研讨会的TechInsights芯片经济学家丹·哈切森（Dan Hutcheson）表示：“台积电到2024年拥有新的光刻机，意味着他们将更快地获得最先进的技术。”“高数值孔径EUV是下一项重要技术创新，将确保台积电的芯片技术处于领先地位。”
本周四，台积电还公布了2纳米芯片技术的更多细节。该公司表示，这类芯片仍将按原计划，于2025年进入量产。此外台积电表示，已经花15年时间研究所谓的“纳米片”晶体管技术，以提高芯片的速度和能效，并将在2纳米芯片中首次使用这种技术。
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